Planar AFAR ma znaczące zalety pod względem wagi i rozmiaru w porównaniu z innymi rozwiązaniami. Masa i grubość wstęgi AFAR jest kilkakrotnie zmniejszona. Dzięki temu mogą być stosowane w małych radarowych głowicach naprowadzających, na pokładach UAV oraz w nowej klasie systemów antenowych – szykach anten konforemnych, tj. powtarzanie kształtu obiektu. Takie siatki, na przykład, są niezbędne do stworzenia myśliwca następnej, szóstej generacji.
UAB „NIIPP” opracowuje wielokanałowe zintegrowane planarne moduły odbiorcze i nadawcze AFAR wykorzystujące technologię LTCC-ceramiki, które obejmują wszystkie elementy tkaniny AFAR (elementy aktywne, nadajniki antenowe, systemy dystrybucji i sterowania sygnałem mikrofalowym, wtórne źródło zasilania sterujące sterownikiem cyfrowym z obwodem interfejsu, systemem chłodzenia cieczą) i są funkcjonalnie kompletnym urządzeniem. Moduły mogą być łączone w szyki antenowe o dowolnej wielkości, a przy znacznej wewnętrznej integracji, minimalne wymagania stawiane są konstrukcji nośnej, która musi łączyć takie moduły. Ułatwia to użytkownikom końcowym tworzenie AFAR w oparciu o takie moduły.
Dzięki oryginalnym rozwiązaniom konstrukcyjnym oraz zastosowaniu nowych i obiecujących materiałów, takich jak niskotemperaturowa ceramika współwypalana (LTCC), materiały kompozytowe, wielowarstwowe mikrokanałowe struktury chłodzenia cieczą opracowane przez JSC NIIPP, wysoce zintegrowane płaskie APM wyróżniają się:
UAB "NIIPP" jest gotowa do opracowania i zorganizowania seryjnej produkcji planarnych modułów odbiorczych, nadawczych i nadawczych AFAR pasm S, C, X, Ku, Ka, zgodnie z wymaganiami zainteresowanego klienta.
JSC NIIPP ma najbardziej zaawansowane pozycje w Rosji i na świecie w rozwoju planarnych modułów APAR z wykorzystaniem technologii ceramiki LTCC.
Cytat:
Wyniki kompleksu prac badawczo-rozwojowych w zakresie tworzenia mikrofalowych monolitycznych układów scalonych GaAs i SiGe, bibliotek elementów i modułów CAD, prowadzonych na Uniwersytecie Tomskim systemów sterowania i elektroniki radiowej.
W 2015 roku firma REC NT rozpoczęła prace nad projektem mikrofalowego mikrofonu MIC dla uniwersalnego wielozakresowego wielokanałowego nadajnika-odbiornika (pasma L, S i C) w postaci „systemu na chipie” (SoC). Dotychczas w oparciu o technologię SiGe BiCMOS 0,25 μm zaprojektowano MIS następujących szerokopasmowych urządzeń mikrofalowych (zakres częstotliwości 1-4,5 GHz): LNA, mikser, tłumik sterowany cyfrowo (DCATT) oraz obwód sterowania DCATT.
Wyjście: W najbliższym czasie na bardzo poważnym poziomie zostanie rozwiązany „problem” radaru do Jak-130, UAV, naprowadzania KR i OTR. Z dużym prawdopodobieństwem można założyć, że „produkt, który nie ma analogów na świecie”. AFAR "w kategorii wagowej" 60-80 kg (o wymaganej dla Jak-130 masie radarowej 220kg-270kg będę milczeć)? Tak łatwe. Czy jest jakaś chęć zdobycia pełnych 30 kg AFARu?
W międzyczasie… Póki „tak jest”:
Nie ma jeszcze samolotów seryjnych. Federacja Rosyjska nawet nie pomyślała o sprzedaży go do Chin i Indonezji (tutaj lepiej byłoby zająć się SU-35), jednak… Jednak przedstawiciel Lockheed Martin i „szereg” ekspertów” z Rosji już przewidują: będzie drogo, będą problemy ze sprzedażą do Chin i Indonezji. Z historii „zacofania” rosyjskiej / sowieckiej awioniki dla „liczby” ekspertów „z Rosji, w celach informacyjnych:
GaN i jego solidne rozwiązania należą do najpopularniejszych i najbardziej obiecujących materiałów we współczesnej elektronice. Prace w tym kierunku prowadzone są na całym świecie, regularnie organizowane są konferencje i seminaria, co przyczynia się do szybkiego rozwoju technologii tworzenia urządzeń elektronicznych i optoelektronicznych opartych na GaN. Przełom obserwuje się zarówno w parametrach struktur LED opartych na GaN i jego roztworach stałych, jak i w charakterystyce PPM opartych na azotku galu - o rząd wielkości wyższy niż w przypadku urządzeń z arsenku galu.
W 2010 roku tranzystory polowe z Ft = 77,3 GHz i Fmax = 177 GHz ze wzmocnieniem pod względem mocy ponad 11,5 dB przy 35 GHz. Na podstawie tych tranzystorów po raz pierwszy w Rosji opracowano i z powodzeniem wdrożono MIS dla trójstopniowego wzmacniacza mocy w zakresie częstotliwości 27–37 GHz o Kp> 20 dB i maksymalnej mocy wyjściowej 300 mW w tryb pulsacyjny. Zgodnie z Federalnym Programem Celowym „Rozwój bazy podzespołów elektronicznych i elektroniki radiowej” oczekiwany jest dalszy rozwój badań naukowych i stosowanych w tym kierunku. W szczególności rozwój heterostruktur InAlN / AlN / GaN do tworzenia urządzeń o częstotliwościach roboczych 30-100 GHz, przy udziale wiodących krajowych przedsiębiorstw i instytutów (FSUE NPP Pulsar, FSUE NPP Istok, ZAO Elma-Malakhit, JSC „Svetlana-Rost”, ISHPE RAS itp.).
Parametry krajowych heterostruktur i tranzystorów o optymalnej długości bramki na ich podstawie (obliczenia):
Stwierdzono eksperymentalnie, że dla zakresu częstotliwości Ka, optymalne są heterostruktury typu 2 o tb = 15 nm, z których najlepsze parametry ma obecnie V-1400 ("Elma-Malachit") na podłożu SiC, co zapewnia tworzenie tranzystorów o prądzie początkowym do 1,1 A/mm przy maksymalnym nachyleniu do 380 mA/mm i napięciu odcięcia -4 V. W tym przypadku tranzystory polowe o LG = 180 nm (LG / tB = 12) mają fT / fMAX = 62/130 GHz przy braku efektów krótkokanałowych, co jest optymalne dla pasma PA PA. Jednocześnie tranzystory o LG = 100 nm (LG / tB = 8) na tej samej heterostrukturze mają wyższe częstotliwości fT / fMAX = 77/161 GHz, czyli mogą być stosowane w wyższych częstotliwościach V- i E- pasma, ale ze względu na efekty krótkokanałowe nie są optymalne dla tych częstotliwości.
Zobaczmy razem najbardziej zaawansowanego „obcego” i nasze radary:
Retro: radar faraona-M, który należy już do przeszłości (planowano go zainstalować na Su-34, 1.44, Berkut). Średnica belki 500 mm. REFLEKTORY NIERÓWNOODLEGŁE „Phazotron”. Czasami nazywana jest również „Włócznią-F”.
Wyjaśnienia:
Technologia planarna - zespół operacji technologicznych stosowanych przy wytwarzaniu płaskich (płaskich, powierzchniowych) przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych.
Podanie:
-dla anten: Planarne systemy antenowe BlueTooth w telefonach komórkowych.
- dla konwerterów IP i PT: Planar Transformatory Marathon, Zettler Magnetics lub Payton.
- dla tranzystorów SMD
itp. zobacz bardziej szczegółowo patent Federacji Rosyjskiej RU2303843.
Ceramika LTCC:
Niskotemperaturowa ceramika współwypalana (LTCC) to technologia ceramiki współspalanej w niskiej temperaturze stosowana do tworzenia urządzeń emitujących mikrofale, w tym modułów Bluetooth i WiFi w wielu smartfonach. Jest on powszechnie znany z zastosowania w produkcji radarów AFAR myśliwca piątej generacji T-50 i czołgu czwartej generacji T-14.
Istota technologii polega na tym, że urządzenie jest wykonane jak płytka drukowana, ale znajduje się w stopionym szkle. „Niskotemperaturowy” oznacza, że prażenie odbywa się w temperaturach około 1000C zamiast 2500C dla technologii HTCC, gdy możliwe jest zastosowanie niezbyt drogich komponentów wysokotemperaturowych z molibdenu i wolframu w HTCC, ale także tańszej miedzi w złocie i srebrze stopy.
